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超大光敏面锗光电二极管
超大光敏面锗光电二极管的图片
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暂无
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加拿大
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产品简介

IRD-GE-10 Ge超大光敏面锗光电二极管10mm)-近红外波长

产品描述

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。

我们有高速硅光电二极管。也有9002600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上,铟镓砷基底在下),组合波长范围从4001700 nm

为了丰富我们的光电二极管产品线,我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用,探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应,从而扭曲光电二极管的时域响应。因此,我们建议使光入射在有效面积中心。为此,可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。

产品特点:

小光敏面大光敏面可选 (100μm to 25mm)

800nm to 1800nm 光谱响应

高线性> 10 dBm

可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)

封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)

应用领域

激光功率计

LED/LD老化诊断

•光谱学

LED/LD特性

•眼睛安全激光检测传感器

技术参数、

Specifications

探测材料

Ge

响应波长

800 - 1800 nm

峰值波长

1550 nm (Typ.)

响应度

0.85 A/W (Typ.)

光敏面直径

78.5 mm2 (?10mm)

上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)

500 ns / 500 ns (Typ.)

NEP, Typical (1550 nm)

4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)

暗电流 (5 V)

60 μA (Max.)

电容(10 V)电容(0 V)

1800 pF (Max.)16000 pF (Max.)

分流电阻

4000 Ohm (Typ.)

封装形式

TO-8

Max Ratings

**击穿打压

10 V

操作温度

-55 to 60 °C

存储温度

-55 to 60 °C

1典型值;RL = 50 Ω,除非另有说明

2.NEP指定在光伏模式下

光谱响应曲线:

推荐电路

订购型号:

型号: IRD-GE-10 单价:3950/片 库存数量:5

描述:

光谱响应范围:800-1800nm

直径:10mm;

响应度@1550nm:0.85 A/W

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