筱晓(上海)光子技术有限公司
首页 > 产品中心 > 光学仪器及设备 > PIN-FET光纤耦合探测器组件-DIL封装
产品详情
PIN-FET光纤耦合探测器组件-DIL封装
PIN-FET光纤耦合探测器组件-DIL封装的图片
参考报价:
面议
品牌:
关注度:
258
样本:
暂无
型号:
产地:
加拿大
信息完整度:
典型用户:
暂无
索取资料及报价
认证信息
高级会员 第 2
名 称:筱晓(上海)光子技术有限公司
认 证:工商信息已核实
访问量:199317
手机网站
扫一扫,手机访问更轻松
公司品牌
品牌传达企业理念
产品简介

PIN-FET光纤耦合探测器组件-DIL封装

MPGD45211Z型差分输出PIN模块

主要特点:

1.DIP8密封金属封装

2.差分信号输出

3.多种跨阻值可供选择

4.高灵敏度

5.3种峰值响应波长

6.质量等级:M1

7.标准号:Q/UH173-2009

主要用途:

1.光纤陀螺

2.光纤传感器

3.光纤相干层析成像系统

**额定值

参数

符号

**额定值

单位

正电源

Vcc

+5.5

V

负电源

Vss

-5.5

V

工作温度范围

Tamb

-45-+70

存储温度范围

Tstg

-55-+85

推荐工作条件

参数

符号

**额定值

单位

正电源

Vcc

+5

V

负电源

Vss

-5

V

光电特性

Vcc=+5VVss=-5V

参数名称

噪声电压

电压响应度

带宽

灵敏度

增益一致性

符号

Vn

Re

Bw

Sr

测试条件 (Vss-5V

Vcc5V -45℃70℃)

RL=1M?

λ=850/1310/1550nm a

f=DC

φe(-30±0.2)dBm

λ=850/1310/1550nm a

RL=1M? φe=(-30±0.2)dBm b

Φe=(-40±0.2)dBmc

λ=850/1310/1550nm a

RL=1M?

f10kHz

λ=850/1310/1550nm a

RL=1M?

φe(-30±0.2)dBm b

φe(-40±0.2)dBm c

-1AS

≤20

≥0.025*106

15

≤-39.5

≥98%

-1AL

≥0.043×106

≤-42

-2AS

≥0.05×106

8

≤-40.5

-2AL

≥0.085×106

≤-43

-3AS

≥0.075×106

5

≤-42.5

-3AL

≥0.13×106

≤-45

-4AS

≥0.1×106

4

≤-43.5

-4AL

≥0.17×106

≤-46

-5AS

≥0.13×106

3

≤-44.5

-5AL

≥0.22×106

≤-47

-6AS

≥0.15×106

2

≤-45.5

-6AL

≥0.26×106

≤-48

-8AS

≥0.2×106

1

≤-47.5

-8AL

≥0.34×106

≤-50

-1MAS

≥0.25×106

1

≤-48.5

-1MAL

≥0.43×106

≤-51

-3BS

≥0.075×106

30

≤-42.5

-3BL

≥0.13×106

≤-45

-4BS

≥0.1×106

20

≤-43.5

-4BL

≥0.17×106

≤-46

-6BS

≥0.15×106

14

≤-45.5

-6BL

≥0.26×106

≤-48

-8BS

≥0.2×106

8

≤-47.5

-8BL

≥0.34×106

≤-50

-1MBS

≥0.25×106

5

≤-48.5

-1MBL

≥0.43×106

≤-51

单位

mV

V/W

MHz

dBm

%

注:a.波长根据用户要求任选一种

b.仅限①②③④⑤⑥⑦⑧八种产品

c.其余系列产品

管脚定义及外形尺寸

管脚

符号

功能

1

Vss1

探测器偏置电源

2

GND

3

Vcc

正电压

4

VREF

零位电压调节

5

VOC

共模电压调节

6

Vout+

信号正

7

Vout-

信号负

8

Vss2

负电源

符号

A

B

C

D

E

F

G

H

I

*小值

13.35

7.44

12.55

4.5

0.4

11

4.65

根据用户要求

标称值

2.54

**值

13.65

7.77

12.85

6.5

0.6

13

5.10

I 为光纤长度,单位为毫米

使用说明

电源电压、偏置电压不能超过额定值、偏置电压不能超过额定值;

电源端与地之间应接 0.1μF 电容 0.1μF 电容;

器件保存应保持干燥;

器件保存和使用时应注意静电防护。尾纤弯曲半径不得小于尾纤弯曲半径不得小于30mm

  • 推荐产品
  • 供应产品
  • 产品分类
我要咨询关闭
  • 类型:*     
  • 姓名:* 
  • 电话:* 
  • 单位:* 
  • Email: 
  •   留言内容:*
  • 让更多商家关注 发送留言